Un equipo de la Universidad de Ciencia y Tecnología de Pekín (USTB) y del Centro de Física de Materiales en el país Vasco han mejorado las propiedades magnéticas de la ferrita de bismuto, un semiconductor parecido a los imanes que produce electricidad para crear chips de memoria con alta capacidad y bajo consumo.
Los investigadores descubrieron que, si sustituían parte del oxígeno de la ferrita por otro compuesto como el azufre, la fuerza magnética aumentaba su potencia hasta 62 veces.
Según uno de los principales autores del estudio, Linxing Zhang de la USTB, el azufre cambia la estructura del semiconductor y la forma en la que sus átomos de hierro se juntan con otros próximos demuestra una mayor imantación.
El hallazgo permite una mejoría en el acoplamiento magnetoeléctrico, es decir, en la capacidad de un material para controlar sus propiedades eléctricas y magnéticas al mismo tiempo.
“Este avance podría conducir a aplicaciones más baratas y eficaces en dispositivos de almacenamiento de información”, explica por su parte, el científico del CSIC Yue- Wen Fang.
En las memorias de acceso aleatorio (también llamadas RAM en inglés) que poseen este material, la información permanecería almacenada de forma segura, aunque se produjera un corte de electricidad. Mientras que en las que no lo tienen, la RAM dinámica que poseen la mayoría de los ordenadores todo se perdería si no hubiera energía.
En este sentido, la ferrita de bismuto puede mezclar electricidad y magnetismo en un solo material, lo que la haría interesante para crear equipos que usen poca energía o guarden más información.
Fuente: Medios Internacionales
